El β-Ga2O3 es un material prometedor para la electrónica de potencia de próxima generación debido a su ancho de banda ultra amplio y su alto campo de ruptura. El silicio es un dopante eficaz para el β-Ga2O3, adecuado para dispositivos laterales y verticales. Los investigadores se centraron en el dopaje continuo de Si en películas epitaxiales de β-Ga2O3 sobre sustratos (010) y (001) utilizando una celda de efusión con válvula. Se utilizó la espectrometría de masas de iones secundarios dinámicos (D-SIMS) para medir las concentraciones de Si, lo que reveló un pico en la interfaz película/sustrato sobre sustratos (010).
Se logró un dopaje continuo con perfiles planos y se confirmó la estabilidad a temperaturas superiores a 1000 °C. En los sustratos (001), se observó un perfil de dopaje de Si plano de 8,3 × 10^18 cm−3, lo que destaca la alta eficiencia de ionización. D-SIMS demostró ser esencial para un control preciso del dopaje, lo que marca un avance significativo en la ciencia de los materiales de la electrónica de potencia y mejora el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.
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Power Electronics: Accurate characterization of Si-doped β-Ga2O3 epitaxial films
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